半导体IC的制造工程，大致可分为前工序和后工序两个过程。前工序，是将晶体管等元件以及连接它们的内部配线镶嵌到硅片上。前工序又称为扩散工序，由上百个步骤组成，占整个IC制作的80%左右。前工序又可以分为FEOL和BEOL两个工程。FEOL（Front End Of Line）是将晶体管等元件嵌入到硅片上的工序。BEOL（Back End Of Line）是将元件的配线（包括多层配线）连接起来的工序。前工序包括成膜工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、掺杂工艺、CMP、清洗干燥工艺、晶片检测工艺等。后工序分为芯片封装工序以及检查筛选工序。本文以最具代表的CMOS-IC为例，图解介绍半导体IC制作过程的前工序的流程。（1）准备直径300mm（12英寸）、厚度775um的p型硅晶片。
